NexperiaMOSFET為熱交換設(shè)計提供最佳安全操作區(qū)和改進的導(dǎo)通阻抗RDS(on)
十月 08, 2018奈梅亨 -- 確保同時滿足對保護功能和運行效率的要求
Nexperia是分立器件、邏輯器件和MOSFET器件的全球領(lǐng)導(dǎo)者,今天推出了其NextPower Live線性模式 MOSFET系列的最新產(chǎn)品PSMN3R7-100BSE,提供強大的安全操作區(qū)(SOA)和較低RDS(on)的最佳組合,非常適合熱插拔、軟啟動和電子熔斷器應(yīng)用。將具有高SOA的MOSFET與熱插拔控制器結(jié)合使用,旨在管理交換服務(wù)器主機板或其他插拔式系統(tǒng)時可能出現(xiàn)的高浪涌電流,或確保順利啟動處理器板。前幾代器件已經(jīng)在SOA與RDS(on)之間進行了取舍,而新技術(shù)在不影響RDS(on)的情況下實現(xiàn)了SOA最大化,從而保持了較高的操作效率水平。
Nexperia的新型PSMN3R7-100BSE MOSFET改善了SOA,與標準技術(shù)相比,其線性模式性能提高了四倍,最大RDS(on)僅為3.95m?(典型值為3.36m?),比以前的器件內(nèi)阻約低18%。這些N溝道100V器件采用D2PAK封裝,結(jié)溫為175 OC。此外,這些器件與所有領(lǐng)先制造商的熱交換控制器完全兼容。
Nexperia的產(chǎn)品經(jīng)理Mike Becker表示:“服務(wù)器和通信基礎(chǔ)設(shè)施公司正在將越來越強大的處理能力集中于葉片和基于機架的系統(tǒng)中,不斷推高電源需求。可靠的熱交換操作對于管理啟動過程中遇到的浪涌電流至關(guān)重要,但隨著功率水平和效率要求的提高,低RDS(on)也變得越來越重要。Nexperia的NextPower Live MOSFET提供了強SOA和低RDS(on)的標準組合,允許工程師設(shè)計超堅固的熱插拔解決方案來管理浪涌電流,而較低的RDS(on)可以提供最高水平的效率。”
有關(guān)新型PSMN3R7-100BSE NextPower Live線性模式MOSFET的更多信息,包括產(chǎn)品規(guī)格和數(shù)據(jù)手冊,請訪問https://www.nexperia.com/products/mosfets/power-mosfets/PSMN3R7-100BSE.html
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Nexperia(原恩智浦標準產(chǎn)品事業(yè)部)是全球領(lǐng)先的分立式器件、邏輯器件與MOSFET器件的專業(yè)制造商,公司于2017年初開始獨立運營。Nexperia注重效率,生產(chǎn)穩(wěn)定可靠的半導(dǎo)體器件,年產(chǎn)量高達900億件。我們廣泛的產(chǎn)品系列符合汽車行業(yè)的嚴苛標準。Nexperia工廠生產(chǎn)的微型封裝業(yè)內(nèi)領(lǐng)先,不僅具有較高的功率與熱效率,還提供同類最佳的品質(zhì)。
五十多年來,Nexperia一直為全球各地的大型公司提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,并在亞洲、歐洲和美國擁有11,000名員工,公司擁有龐大的知識產(chǎn)權(quán)組合,并獲得了ISO9001、ISO/TS16949、ISO14001和OHSAS18001認證。
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